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簡要描述：MTS2SENS 熱電堆探測器：IR熱電堆 MTS2SENS200 二氧化碳的基礎是兩個芯片，每個芯片包含200個鉍銻/銻熱電偶。得益于它們以及氪氣的填充，該探測器具有非常高的探測度，高達6.27*10^8 cm√Hz/W，靈敏度高達171 V/W。信號質(zhì)量可與熱釋電探測器相媲美，因此在NDIR組件范圍內(nèi)提供了額外的選擇。
產(chǎn)品品牌：Micro-Hybrid廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2025-11-04訪 問 量：1008詳細介紹
| 品牌 | Micro-Hybrid | 應用領域 | 綜合 |
|---|
MTS2SENS200carbon dioxide
MTS2SENS200 carbon monoxide
MTS2SENS200sulfur hexafluoride
MTS2SENS200 alcohol
MTS2SENS200 nitrous oxide
MTS2SENS200 nitrogen monoxide
MTS2SENS44 carbon dioxide
MTS2SENS44 hydrocarbon
MTS2SENS44 nitrous oxide
MTS2SENS44 carbon monoxide
MTS2SENS44 nitrogen monoxide
MTS2SENS44 sulfur dioxide
MTS2SENS44 alcohol
MTS2SENS44 sulfur hexafluoride
MTS2SENS200 hydrocarbon
MTS2SENS200 sulfur dioxide
MTS2SENS200 flurane
MTS2SENS200 halothane
描述
MTS2SENS200 二氧化碳探測器的窄帶濾光片，中心波長為4265 ± 25 nm，半高寬為120 ± 10 nm，專為測量二氧化碳（CO2）而優(yōu)化，并帶有參考通道（中心波長：3910 ± 28 nm，半高寬：70 ± 10 nm）。該探測器的特點是集成了用于參考溫度確定的熱敏電阻和干擾吸收器，確保信號盡可能高效地從輻射能轉換為熱能——然后熱電偶將熱能轉換為電能。
IR熱電堆 MTS2SENS200 二氧化碳的基礎是兩個芯片，每個芯片包含200個鉍銻/銻熱電偶。得益于它們以及氪氣的填充，該探測器具有非常高的探測度，高達6.27*10^8 cm√Hz/W，靈敏度高達171 V/W。信號質(zhì)量可與熱釋電探測器相媲美，因此在NDIR組件范圍內(nèi)提供了額外的選擇。
該探測器可在-20至85°C的環(huán)境溫度下，在眾多工業(yè)、航空航天和醫(yī)療應用中使用：車輛尾氣測量、呼吸氣體分析或患者監(jiān)測。
應用
l醫(yī)療技術：麻醉設備、患者監(jiān)測
l環(huán)境工程：監(jiān)測沼氣廠中的CH4
l實驗室技術/生物工程：測量細胞和組織生長中的CO2和H2O，檢測C2H5OH
l工業(yè)過程控制：檢測SO?、NO、CO和其他相關工藝氣體
l安全技術/防爆保護：CO?、CO、CH4檢測
產(chǎn)品優(yōu)勢
l由于使用了最佳材料，如BiSb/Sb用于熱電效應（MTS200），性能較完善。
l最佳探測度
l高靈敏度
特點
l專門用于測量特定氣體
l使用不同氣體進行回填以適應目標應用的性能
l參考通道
技術參數(shù)
技術參數(shù) | MTS2SENS200 | MTS2SENS44 | 單位 |
有效面積 | 2 x (1.2 x 1.2) | 2 x (1.0 x 1.0) | mm2 |
相對孔徑 | 2 x (1.5 x 1.5) | 2 x (1.5 x 1.5) | mm2 |
熱電偶數(shù)量 | 200 | 44 |
|
時間常數(shù)0-63%1,2,3 | typ. 51 | typ. 13 | ms |
直流輸出電壓1,2,3 | typ. 9.35 | typ. 1.47 | mV |
直流靈敏度1,2,3 | typ. 171 | typ. 39 | V/W |
噪聲電壓2 | typ. 33 | typ. 24 | nV/Hz? |
噪聲等效功率NEP1,2,3 | typ. 0.19 | typ. 0.62 | nW/Hz? |
比靈敏度D*1,2,3 | typ. 6.27*108 | typ. 1.61*108 | cmHz?/W |
熱電堆的電阻2 | typ. 65 | typ. 35 | kΩ |
熱敏電阻 | PTC Ni1000，其他按需提供：技術規(guī)格請參見文件“熱敏電阻"。 | ||
充填氣體3 | Kr，其他按需提供 | ||
濾光 | 請參見文件“紅外濾光片"，定制濾光片按需提供。 | ||
工作溫度 | -20 ... +85 | -20 ... +85 | °C |
外殼 | TO39 | TO39 |
|
1. 在T=500 K，E=38 W/m2的情況下，不受濾波器特性的影響。
2. 在Tamb = 25 °C時。
3.使用氪氣填充，其他氣體根據(jù)客戶要求提供。
典型操作特性
MTS1HIGHTEMP80 with filter B1
MTS1HIGHTEMP80 with filter B1
MTS1 filter B1
電氣示意圖
電路
等效電路圖
機械制圖
底部
頂部MTS1TEMP80/44
頂部MTS1HIGHTEMP80
截面圖MTS1TEMP80/44
截面圖MTS1HIGHTEMP80
產(chǎn)品概述
型號 | 類型 | 填充氣體 | 低溫度 | 最高溫度 | 光圈 |
TS1x80B-A-D0.75-1-Kr-B1-180 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 180 °C | 0.75 mm |
TS1x80B-A-D0.75-1-Kr-B1 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 0.75 mm |
TS1x44S-A-D0.75-1-Kr-B1 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 0.75 mm |
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